Numărul de produs al producătorului:
SQD10950E_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQD10950E_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 11.5A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12915867
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQD10950E_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
162mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SQD10950
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQD10950E_GE3-DG
742-SQD10950E_GE3DKR
742-SQD10950E_GE3CT
742-SQD10950E_GE3TR
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI6463BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI4842BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
SI5443DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8