Numărul de produs al producătorului:
SI6463BDQ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI6463BDQ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12915869
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI6463BDQ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Caracteristică FET
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSSOP
Pachet / Carcasă
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI6463
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI6463BDQ-T1-GE3DKR
SI6463BDQ-T1-GE3CT
Q8873440
Q8873440A
SI6463BDQT1GE3
SI6463BDQ-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4842BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
SI5443DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
SI6404DQ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP