Numărul de produs al producătorului:
SI5443DC-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5443DC-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12915879
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5443DC-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
1206-8 ChipFET™
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
SI5443
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI6404DQ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
SI5499DC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
SQD50N10-8M9L_GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
