Numărul de produs al producătorului:
SI2367DS-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI2367DS-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
15904 Piese Noi Originale În Stoc
12915894
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI2367DS-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
561 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SI2367
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI2367DS-T1-GE3DKR
SI2367DST1GE3
SI2367DS-T1-GE3-DG
SI2367DS-T1-GE3TR
SI2367DS-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3415A-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
SI1317DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
SI6423DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
