Numărul de produs al producătorului:
SI6404DQ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI6404DQ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12915881
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI6404DQ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.08W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSSOP
Pachet / Carcasă
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI6404
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5499DC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
SQD50N10-8M9L_GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
