Numărul de produs al producătorului:
SI3445ADV-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI3445ADV-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOP
Descriere detaliată:
P-Channel 8 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12915858
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI3445ADV-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
8 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
SI3445
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI3433CDV-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
9491
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI3433CDV-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
SI4896DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
SQD10950E_GE3
MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
