Numărul de produs al producătorului:
IXTY02N50D
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTY02N50D-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
86 Piese Noi Originale În Stoc
12915863
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTY02N50D Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXTY02
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4896DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
SQD10950E_GE3
MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
SI6463BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP