Numărul de produs al producătorului:
SI1300BDL-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1300BDL-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 400mA (Tc) 190mW (Ta), 200mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Inventar:
12959984
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1300BDL-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 250mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.84 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
35 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190mW (Ta), 200mW (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-3
Pachet / Carcasă
SC-70, SOT-323
Numărul de bază al produsului
SI1300
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1300BDL-T1-GE3TR
SI1300BDL-T1-GE3DKR
SI1300BDLT1GE3
SI1300BDL-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI1308EDL-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
45442
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI1308EDL-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.09
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP22N50APBF
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
STWA60N099DM9AG
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
SQS180ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
