Numărul de produs al producătorului:
SQS180ELNW-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQS180ELNW-T1_GE3-DG
Descriere:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 82A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
Inventar:
9033 Piese Noi Originale În Stoc
12960026
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQS180ELNW-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® GenIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3689 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
119W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8SLW
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8SLW
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQS180ELNW-T1_GE3TR
742-SQS180ELNW-T1_GE3CT
742-SQS180ELNW-T1_GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI2314EDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
IRF9Z24
MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
IRFZ34PBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
