Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI2314EDS-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI2314EDS-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 3.77A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
RFQ Online
12960031
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI2314EDS-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.77A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
750mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SI2314
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI2314EDS-T1-GE3-DG
Fișe tehnice
SI2314EDS-T1-GE3
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STR2N2VH5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
79628
DiGi NUMĂR DE PARTE
STR2N2VH5-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RUR020N02TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
9907
DiGi NUMĂR DE PARTE
RUR020N02TL-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRLML6246TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
244555
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLML6246TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMN2075U-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
60933
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN2075U-7-DG
PREȚ UNIC
0.04
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RUR040N02TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
12615
DiGi NUMĂR DE PARTE
RUR040N02TL-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF9Z24
MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
IRFZ34PBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRFR9014NTRR
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
SIHG47N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC