Numărul de produs al producătorului:
IRFP22N50APBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFP22N50APBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
1827 Piese Noi Originale În Stoc
12960003
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFP22N50APBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
277W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IRFP22
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFP22N50APBF
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STWA60N099DM9AG
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
SQS180ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
SI2314EDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
