Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK20G60W,RVQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK20G60W,RVQ-DG
Descriere:
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
RFQ Online
12890037
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK20G60W,RVQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
165W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
TK20G60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TK20G60W
Informații suplimentare
Alte nume
TK20G60WRVQTR
TK20G60WRVQCT
TK20G60W,RVQ(S
TK20G60WRVQDKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB28NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1427
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB28NM60ND-DG
PREȚ UNIC
4.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB28N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1791
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB28N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.58
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB26NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2127
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB26NM60N-DG
PREȚ UNIC
3.29
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB30N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
854
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB30N80K5-DG
PREȚ UNIC
3.78
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3564(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM