Numărul de produs al producătorului:
STB28N60DM2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB28N60DM2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
1791 Piese Noi Originale În Stoc
12875191
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB28N60DM2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB28
Informații suplimentare
Alte nume
497-16349-6
497-16349-2
497-16349-1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD3NM50T4
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
STI24NM60N
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
STP18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220