Numărul de produs al producătorului:
STI24NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI24NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
981 Piese Noi Originale În Stoc
12875197
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
dkKP
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI24NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI24
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-12260
-1138-STI24NM60N
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
STP185N10F3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
STW15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO247
