STB26NM60N
Numărul de produs al producătorului:

STB26NM60N

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STB26NM60N-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

2127 Piese Noi Originale În Stoc
12879984
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
s3At
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STB26NM60N Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB26

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
STB,F,P, W26NM60N

Informații suplimentare

Alte nume
497-10985-6
497-10985-1
497-10985-2
STB26NM60N-DG
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STP30N10F7

MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB

stmicroelectronics

STP7N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

stmicroelectronics

STW30NM60D

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

stmicroelectronics

STS17NF3LL

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO