Numărul de produs al producătorului:
TK25E60X,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK25E60X,S1X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
13 Piese Noi Originale În Stoc
12890046
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK25E60X,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK25E60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP65R125C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
470
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP65R125C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.09
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP33N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
727
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP33N60M2-DG
PREȚ UNIC
2.08
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
TPN4R303NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
2SK3670(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
