Numărul de produs al producătorului:
VT6J1T2CR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
VT6J1T2CR-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Inventar:
13525132
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
VT6J1T2CR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Last Time Buy
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15pF @ 10V
Putere - Max
120mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Pachet dispozitiv furnizor
VMT6
Numărul de bază al produsului
VT6J1
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
VT6J1T2CRCT
VT6J1T2CRDKR
VT6J1T2CRTR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
EM6J1T2R
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
12037
DiGi NUMĂR DE PARTE
EM6J1T2R-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SH8M51GZETB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8J13TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8TSST
QS8J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
