Numărul de produs al producătorului:
TT8J13TCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
TT8J13TCR-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8TSST
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13525144
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TT8J13TCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 6V
Putere - Max
1W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Numărul de bază al produsului
TT8J13
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TT8J13TCRTR
TT8J13TCRCT
TT8J13TCRDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
