QS8J12TCR
Numărul de produs al producătorului:

QS8J12TCR

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

QS8J12TCR-DG

Descriere:

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 4.5A 550mW Surface Mount TSMT8

Inventar:

13525155
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

QS8J12TCR Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 6V
Putere - Max
550mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QS8J12

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
QS8J13TR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2893
DiGi NUMĂR DE PARTE
QS8J13TR-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
ECH8654-TL-H
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
189
DiGi NUMĂR DE PARTE
ECH8654-TL-H-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
rohm-semi

QS8K2TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8

rohm-semi

QS8M51TR

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

rohm-semi

UM6K33NTN

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

rohm-semi

UM5K1NTR

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT5