Numărul de produs al producătorului:
QS8M51TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
QS8M51TR-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventar:
35316 Piese Noi Originale În Stoc
13525173
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
QS8M51TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A, 1.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
325mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Putere - Max
1.5W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT8
Numărul de bază al produsului
QS8M51
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
QS8M51DKR
QS8M51CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
UM5K1NTR
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A UMT5
QS8J11TCR
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
