Numărul de produs al producătorului:
EM6J1T2R
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
EM6J1T2R-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
12037 Piese Noi Originale În Stoc
13521827
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EM6J1T2R Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
115pF @ 10V
Putere - Max
150mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
EMT6
Numărul de bază al produsului
EM6J1
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
EM6J1T2RCT
EM6J1T2RDKR
EM6J1T2RTR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
EM6M1T2R
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
BSM080D12P2C008
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6