Numărul de produs al producătorului:
IXTP120P065T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP120P065T-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12820814
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP120P065T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
TrenchP™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
65 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
298W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTH120P065T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
5
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH120P065T-DG
PREȚ UNIC
3.94
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP20N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IXFK102N30P
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
IXFT120N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
