Numărul de produs al producătorului:
IXFT120N25X3HV
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT120N25X3HV-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
87 Piese Noi Originale În Stoc
12820817
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT120N25X3HV Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7870 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFE24N100
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
IXFN55N50
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
IXFA16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
