Numărul de produs al producătorului:
IXFE24N100
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFE24N100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 22A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820818
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFE24N100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFE24
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN32N100Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
8
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN32N100Q3-DG
PREȚ UNIC
46.94
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN55N50
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
IXFA16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
IXFK33N50
MOSFET N-CH 500V 33A TO264AA