IXFN32N100Q3
Numărul de produs al producătorului:

IXFN32N100Q3

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFN32N100Q3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 28A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventar:

8 Piese Noi Originale În Stoc
12821392
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFN32N100Q3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Q3 Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9940 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN32

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
-IXFN32N100Q3
Pachet standard
10

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXTQ52N30P

MOSFET N-CH 300V 52A TO3P

littelfuse

IXFH60N50P3

MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD

littelfuse

IXTH4N150

MOSFET N-CH 1500V 4A TO247

littelfuse

IXFH26N50P3

MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD