Numărul de produs al producătorului:
IXFK102N30P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK102N30P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 102A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
17 Piese Noi Originale În Stoc
12820816
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK102N30P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
224 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK102
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFK102N30P
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFT120N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
IXFE24N100
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
IXFN55N50
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
