Numărul de produs al producătorului:
IXFN150N10
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN150N10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820813
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN150N10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Bulk
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN150
Informații suplimentare
Pachet standard
20
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN200N10P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN200N10P-DG
PREȚ UNIC
17.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
IXFP20N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IXFK102N30P
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
