Numărul de produs al producătorului:
G130N06M
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G130N06M-DG
Descriere:
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
780 Piese Noi Originale În Stoc
13309548
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G130N06M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2867 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
G130N06M
PRODUCĂTOR
Goford Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
780
DiGi NUMĂR DE PARTE
G130N06M-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
