Numărul de produs al producătorului:
GT023N10T
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
GT023N10T-DG
Descriere:
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 140A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
71 Piese Noi Originale În Stoc
13309555
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
GT023N10T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8086 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-GT023N10T
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
