Numărul de produs al producătorului:
SSM6J808R,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6J808R,LF-DG
Descriere:
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventar:
10631 Piese Noi Originale În Stoc
13309570
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6J808R,LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
150°C
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP-F
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
SSM6J808
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-SSM6J808RLFDKR
264-SSM6J808R,LFTR
264-SSM6J808RLFCT
264-SSM6J808R,LFDKR-ND
264-SSM6J808R,LFCT-ND
264-SSM6J808RLFTR
264-SSM6J808R,LFCT
264-SSM6J808R,LFTR-ND
264-SSM6J808R,LFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
PSMNR56-25YLEX
PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS
DMP22D5UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-