Numărul de produs al producătorului:
SUP53P06-20-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP53P06-20-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
3176 Piese Noi Originale În Stoc
13008159
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP53P06-20-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.2A (Ta), 53A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP53
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIHW47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
