SIR872ADP-T1-RE3
Numărul de produs al producătorului:

SIR872ADP-T1-RE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIR872ADP-T1-RE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

2916 Piese Noi Originale În Stoc
13008394
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
MO9r
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIR872ADP-T1-RE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1286 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR872

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
SIR872ADP-T1-RE3-DG
Fișe tehnice
SIR872ADP-T1-RE3
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

vishay

SQJ148EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

vishay

SIHP050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB

vishay

SIHB22N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK