Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIHW47N60EF-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHW47N60EF-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventar:
RFQ Online
13008260
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHW47N60EF-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4854 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
379W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHW47
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SIHW47N60EF-GE3-DG
Fișe tehnice
SIHW47N60EF-GE3
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW56N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
31
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW56N60M2-DG
PREȚ UNIC
4.61
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH072N60
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
39
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH072N60-DG
PREȚ UNIC
4.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH070N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
473
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH070N60E-DG
PREȚ UNIC
5.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SQJ148EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8