SIHW47N60EF-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHW47N60EF-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHW47N60EF-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventar:

13008260
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHW47N60EF-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4854 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
379W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHW47

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STW56N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
31
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW56N60M2-DG
PREȚ UNIC
4.61
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH072N60
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
39
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH072N60-DG
PREȚ UNIC
4.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH070N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
473
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH070N60E-DG
PREȚ UNIC
5.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

vishay

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

vishay

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

vishay

SQJ148EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8