Numărul de produs al producătorului:
SIHW47N60EF-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHW47N60EF-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventar:
13008260
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHW47N60EF-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4854 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
379W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHW47
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW56N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
31
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW56N60M2-DG
PREȚ UNIC
4.61
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH072N60
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
39
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH072N60-DG
PREȚ UNIC
4.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH070N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
473
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH070N60E-DG
PREȚ UNIC
5.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
