Numărul de produs al producătorului:
SQ4483BEEY-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQ4483BEEY-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 22A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
19900 Piese Noi Originale În Stoc
13008079
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQ4483BEEY-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SQ4483
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUP53P06-20-E3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIHW47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
