Numărul de produs al producătorului:
SIS438DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS438DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
40327 Piese Noi Originale În Stoc
13061539
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS438DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS438
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIS438DNT1GE3
SIS438DN-T1-GE3DKR
SIS438DN-T1-GE3TR
SIS438DN-T1-GE3-ND
SIS438DN-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQD100N03-3M2L_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
