Numărul de produs al producătorului:
SI1480DH-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1480DH-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventar:
2990 Piese Noi Originale În Stoc
13061548
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1480DH-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-6
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numărul de bază al produsului
SI1480
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1480DHT1GE3
SI1480DH-T1-GE3DKR
SI1480DH-T1-GE3CT
SI1480DH-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI1480DH-T1-BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI1480DH-T1-BE3-DG
PREȚ UNIC
0.13
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQD100N03-3M2L_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
SI2343DS-T1
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
