Numărul de produs al producătorului:
SQD100N03-3M2L_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQD100N03-3M2L_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
13061590
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
EK1P
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQD100N03-3M2L_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6316 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SQD100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQD100N03-3M2L_GE3TR
SQD100N03-3M2L_GE3DKR
SQD100N03-3M2L_GE3CT
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI2343DS-T1
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
SUM60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
SUD50N06-07L-E3
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
