Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SUP36N20-54P-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP36N20-54P-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 36A (Tc) 3.12W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12920477
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP36N20-54P-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
127 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.12W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP36
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SUP36N20-54P-E3-DG
Fișe tehnice
SUP36N20-54P-E3
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP40NF20
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP40NF20-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN057-200P,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN057-200P,127-DG
PREȚ UNIC
1.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTP48N20T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP48N20T-DG
PREȚ UNIC
1.79
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTP50N20P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
149
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP50N20P-DG
PREȚ UNIC
2.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFB38N20DPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
3600
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB38N20DPBF-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUD50N10-34P-T4-E3
MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252
SISHA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
SISH114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
SQJA68EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L