Numărul de produs al producătorului:
SISH114ADN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SISH114ADN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventar:
5982 Piese Noi Originale În Stoc
12920490
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SISH114ADN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta), 35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8SH
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8SH
Numărul de bază al produsului
SISH114
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SISH114ADN-T1-GE3DKR
2266-SISH114ADN-T1-GE3TR
SISH114ADN-T1-GE3TR
SISH114ADN-T1-GE3DKR-DG
SISH114ADN-T1-GE3TR-DG
SISH114ADN-T1-GE3CT-DG
742-SISH114ADN-T1-GE3CT
742-SISH114ADN-T1-GE3TR
SISH114ADN-T1-GE3CT
SISH114ADN-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJA68EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
SQ9407EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
SIR644DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
