Numărul de produs al producătorului:
SIR644DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR644DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12920498
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR644DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR644
Fișa de date și documente
Desene de produs
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIR644DP-T1-GE3CT
SIR644DP-T1-GE3DKR
SIR644DP-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSC022N04LSATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
18064
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC022N04LSATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHA25N60EFL-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
SUD08P06-155L-T4E3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
