SIR826DP-T1-RE3
Numărul de produs al producătorului:

SIR826DP-T1-RE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIR826DP-T1-RE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

RFQ Online
12920515
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIR826DP-T1-RE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR826

Informații suplimentare

Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8

onsemi

FQP85N06

MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3

vishay-siliconix

SIHB24N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

vishay-siliconix

SQP50N06-09L_GE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB