PSMN057-200P,127
Numărul de produs al producătorului:

PSMN057-200P,127

Product Overview

Producător:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PSMN057-200P,127-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

12828001
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PSMN057-200P,127 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tube
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
PSMN057

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
568-6641
568-6641-5-DG
PSMN057-200P
934056421127
1727-5271
PSMN057-200P,127-DG
5202-PSMN057-200P,127TR
568-6641-DG
PSMN057-200P-DG
568-6641-5
2156-PSMN057-200P,127-1727
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nexperia

PSMN2R2-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

BUK9Y4R4-40E,115

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

nexperia

BUK7507-55B,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

nexperia

BUK7611-55A,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK