Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SUM90N08-7M6P-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUM90N08-7M6P-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12920454
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUM90N08-7M6P-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3528 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SUM90
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF2807ZSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
139
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF2807ZSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.97
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDB088N08
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
330
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB088N08-DG
PREȚ UNIC
1.12
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTA90N075T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA90N075T2-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB054N06N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1043
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB054N06N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.72
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN6R5-80BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4297
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN6R5-80BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIRA24DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIA462DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
SUP36N20-54P-E3
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
SUD50N10-34P-T4-E3
MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252