Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FDB088N08
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDB088N08-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
330 Piese Noi Originale În Stoc
12849989
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDB088N08 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6595 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FDB088
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FDB088N08-DG
Fișe tehnice
FDB088N08
Informații suplimentare
Alte nume
FDB088N08CT
FDB088N08TR
FDB088N08DKR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN012-80BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
5050
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN012-80BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN8R7-80BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
5398
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN8R7-80BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.70
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB75NF75T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
967
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB75NF75T4-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN005-75B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4338
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN005-75B,118-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN008-75B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
5795
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN008-75B,118-DG
PREȚ UNIC
0.80
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOTF380A60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AON7242
MOSFET N-CH 40V 30A/50A 8DFN
AOI4185
MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
FQP10N60C
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3