Numărul de produs al producătorului:
SUD23N06-31L-T4BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUD23N06-31L-T4BE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12954762
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUD23N06-31L-T4BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SUD23
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SUD23N06-31L-T4BE3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SUD23N06-31-BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1990
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUD23N06-31-BE3-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR120PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
SQS660CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
