Numărul de produs al producătorului:
IRFR120PBF-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFR120PBF-BE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
5975 Piese Noi Originale În Stoc
12954771
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFR120PBF-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRFR120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-IRFR120PBF-BE3
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQS660CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
AUIRFR5505TRL
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
