Numărul de produs al producătorului:
SISS98DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SISS98DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12954780
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SISS98DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 7.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
608 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
57W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SISS98
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SISS98DN-T1-GE3DKR
SISS98DN-T1-GE3CT
SISS98DN-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRFR5505TRL
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
UF3C120150K4S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
