Numărul de produs al producătorului:
SISH112DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SISH112DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventar:
5870 Piese Noi Originale În Stoc
12785972
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SISH112DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2610 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8SH
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8SH
Numărul de bază al produsului
SISH112
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SISH112DN-T1-GE3-DG
742-SISH112DN-T1-GE3TR
SISH112DN-T1-GE3CT
SISH112DN-T1-GE3DKR-DG
SISH112DN-T1-GE3TR
742-SISH112DN-T1-GE3CT
742-SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3CT-DG
SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3TR-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISS61DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
SIS468DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
SIHA180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
