Numărul de produs al producătorului:
SIHA180N60E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHA180N60E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12785982
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHA180N60E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1085 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SIHA180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHA180N60E-GE3DKR
SIHA180N60E-GE3TR
SIHA180N60E-GE3CT-DG
SIHA180N60E-GE3DKR-DG
SIHA180N60E-GE3TR-DG
SIHA180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHA180N60E-GE3CT
SIHA180N60E-GE3CTINACTIVE
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
SIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
SIS424DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
