Numărul de produs al producătorului:
SIS468DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS468DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12785978
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS468DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS468
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIS468DN-T1-GE3TR
SIS468DN-T1-GE3DKR
SIS468DN-T1-GE3CT
SIS468DNT1GE3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMC86324
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
4642
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMC86324-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ7E110AJTCR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1294
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ7E110AJTCR-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3L050GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
14048
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3L050GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHA180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
SIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
